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    单晶硅片
    区熔硅片
    什么是区熔硅片?
    区熔硅片就是通过区熔法(Float Zone)长晶得到区熔单晶硅棒,然后把单晶硅棒加工成硅片,叫做区熔硅片。区熔硅片由于在长晶的过程中没有跟石英坩埚接触,硅材料处于悬浮状态,因此长晶过程中受污染少。碳含量和氧含量更低,杂质更少,电阻率更高,适用于功率器件和某些耐高压电子器件的制造。
    区熔硅片在长晶过程中,通常不会像直拉法那样掺入杂质元素硼(Boron)或者磷(Phos),因此区熔硅片大多是本征型,不掺杂的高阻片,电阻率大于>1000欧姆-厘米。但是某些情况下,也可以通过NTD中照和GD气掺来实现对区熔硅棒的掺杂,以达到均匀性更好和更低的电阻率。
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    商品详情
    Diameter
    2" 
    3" 
    4" 
    5" 
    6" 
    8" 
    Growth Method
    FZ
    Orientation 
    < 1-0-0 > , < 1-1-1 > 
    Type/Dopant
    Intrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron
    Thickness (um)
    279
    380
    525
    625
    675
    725
    Thickness Tolerance
    Standard ± 25um
    ±50um
    Resistivity(Ohm-cm)
    1000-20000, Maximum Capabilities>20000, and 1-5
    Surface Finished
    P/E , P/P, E/E, G/G
    TTV (um)
    Standard < 10 um
    Bow/Warp  (um)
    Standard <40 um
    <50um
    Particle
    <10@0.3um


    公司地址:广东省佛山市南海区桂澜北路26号招商置地中心3座1815 备案号:粤ICP备19154843号